
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.033745 | ¥13.03 |
| 10 | ¥11.702036 | ¥117.02 |
| 25 | ¥11.107017 | ¥277.68 |
| 100 | ¥8.330263 | ¥833.03 |
| 250 | ¥8.250927 | ¥2062.73 |
| 500 | ¥7.06089 | ¥3530.44 |
| 1000 | ¥5.751848 | ¥5751.85 |
| 2500 | ¥5.672512 | ¥14181.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
下降时间 2.6 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0703LS SP001614096
单位重量 38.760 mg
购物车
0BSZ0703LSATMA1
型号:BSZ0703LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.033745 |
| 10+: | ¥11.702036 |
| 25+: | ¥11.107017 |
| 100+: | ¥8.330263 |
| 250+: | ¥8.250927 |
| 500+: | ¥7.06089 |
| 1000+: | ¥5.751848 |
| 2500+: | ¥5.672512 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.03