
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.666076 | ¥3.67 |
| 200 | ¥1.424182 | ¥284.84 |
| 500 | ¥1.369668 | ¥684.83 |
| 1000 | ¥1.349225 | ¥1349.22 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NVMYS021N06CLTWG
型号:NVMYS021N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.666076 |
| 200+: | ¥1.424182 |
| 500+: | ¥1.369668 |
| 1000+: | ¥1.349225 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.67