
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.883341 | ¥8.88 |
| 200 | ¥3.450964 | ¥690.19 |
| 500 | ¥3.31887 | ¥1659.43 |
| 1000 | ¥3.269334 | ¥3269.33 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS021N06CLTWG
型号:NVMYS021N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.883341 |
| 200+: | ¥3.450964 |
| 500+: | ¥3.31887 |
| 1000+: | ¥3.269334 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.88