货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.241616 | ¥43.24 |
10 | ¥38.852234 | ¥388.52 |
100 | ¥31.834439 | ¥3183.44 |
500 | ¥27.208956 | ¥13604.48 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 106 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R105CFD7 SP001715624
单位重量 2 g
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0IPP60R105CFD7XKSA1
型号:IPP60R105CFD7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.241616 |
10+: | ¥38.852234 |
100+: | ¥31.834439 |
500+: | ¥27.208956 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥43.24