货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥41.342344 | ¥41.34 |
10 | ¥37.120458 | ¥371.20 |
100 | ¥30.41438 | ¥3041.44 |
500 | ¥25.891265 | ¥12945.63 |
1000 | ¥21.836062 | ¥21836.06 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 38 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0IXFA22N65X2
型号:IXFA22N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.342344 |
10+: | ¥37.120458 |
100+: | ¥30.41438 |
500+: | ¥25.891265 |
1000+: | ¥21.836062 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.34