IPD60R3K3C6ATMA1
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- 制造商编号：
- IPD60R3K3C6ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.758715 | ￥12.76 |
| 10 | ￥11.211382 | ￥112.11 |
| 100 | ￥8.597203 | ￥859.72 |
| 500 | ￥6.796324 | ￥3398.16 |
| 1000 | ￥5.436978 | ￥5436.98 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 3.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 18.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R3K3C6 SP001117718
单位重量 330 mg
IPD60R3K3C6ATMA1 同类别型号
注
IPD60R3K3C6ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPD60R3K3C6ATMA1
数据手册PDF
。
IPD60R3K3C6ATMA1
型号：IPD60R3K3C6ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.758715 |
| 10+： | ￥11.211382 |
| 100+： | ￥8.597203 |
| 500+： | ￥6.796324 |
| 1000+： | ￥5.436978 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.76