货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.994616 | ¥42.99 |
10 | ¥38.630983 | ¥386.31 |
100 | ¥31.648837 | ¥3164.88 |
500 | ¥26.942198 | ¥13471.10 |
1000 | ¥22.722333 | ¥22722.33 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 111 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 101 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R125C7 SP001080138
单位重量 6 g
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0IPW65R125C7XKSA1
型号:IPW65R125C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.994616 |
10+: | ¥38.630983 |
100+: | ¥31.648837 |
500+: | ¥26.942198 |
1000+: | ¥22.722333 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥42.99