货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.247288 | ¥15.25 |
10 | ¥12.485278 | ¥124.85 |
100 | ¥9.709522 | ¥970.95 |
500 | ¥8.230285 | ¥4115.14 |
1000 | ¥6.704431 | ¥6704.43 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 490 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R600P7 SP001606046
单位重量 330 mg
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0IPD60R600P7ATMA1
型号:IPD60R600P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.247288 |
10+: | ¥12.485278 |
100+: | ¥9.709522 |
500+: | ¥8.230285 |
1000+: | ¥6.704431 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.25