SUP70030E-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SUP70030E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 100 V TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：500
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥40.484555 | ￥40.48 |
| 10 | ￥36.376912 | ￥363.77 |
| 100 | ￥29.802314 | ￥2980.23 |
| 500 | ￥25.369849 | ￥12684.92 |
| 1000 | ￥21.396324 | ￥21396.32 |
| 2000 | ￥20.326444 | ￥40652.89 |
| 5000 | ￥19.996529 | ￥99982.64 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 3.18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 214 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 110 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SUP70030E-GE3 同类别型号
注
SUP70030E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SUP70030E-GE3、查询SUP70030E-GE3代理商；
SUP70030E-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SUP70030E-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SUP70030E-GE3
替代型号
、SUP70030E-GE3
数据手册PDF。
SUP70030E-GE3
型号：SUP70030E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥40.484555 |
| 10+： | ￥36.376912 |
| 100+： | ￥29.802314 |
| 500+： | ￥25.369849 |
| 1000+： | ￥21.396324 |
| 2000+： | ￥20.326444 |
| 5000+： | ￥19.996529 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥40.48