货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.205275 | ¥34.21 |
50 | ¥27.483629 | ¥1374.18 |
100 | ¥22.612798 | ¥2261.28 |
500 | ¥19.134308 | ¥9567.15 |
1000 | ¥16.235192 | ¥16235.19 |
2000 | ¥15.42347 | ¥30846.94 |
5000 | ¥14.843598 | ¥74217.99 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 55 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 1.1 S
上升时间 19 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP2N65X2
型号:IXTP2N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.205275 |
50+: | ¥27.483629 |
100+: | ¥22.612798 |
500+: | ¥19.134308 |
1000+: | ¥16.235192 |
2000+: | ¥15.42347 |
5000+: | ¥14.843598 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.21