
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.289674 | ¥39.29 |
| 50 | ¥31.568896 | ¥1578.44 |
| 100 | ¥25.974047 | ¥2597.40 |
| 500 | ¥21.978501 | ¥10989.25 |
| 1000 | ¥18.648452 | ¥18648.45 |
| 2000 | ¥17.716071 | ¥35432.14 |
| 5000 | ¥17.050006 | ¥85250.03 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP4N65X2
型号:IXTP4N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.289674 |
| 50+: | ¥31.568896 |
| 100+: | ¥25.974047 |
| 500+: | ¥21.978501 |
| 1000+: | ¥18.648452 |
| 2000+: | ¥17.716071 |
| 5000+: | ¥17.050006 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.29