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IXTP4N65X2

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTP4N65X2
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
渠道:
digikey

库存 :226

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 34.266977 34.27
50 27.533204 1376.66
100 22.653587 2265.36
500 19.168823 9584.41
1000 16.264478 16264.48
2000 15.451291 30902.58
5000 14.870374 74351.87

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标名 HiPerFET

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 850 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 8.3 nC

耗散功率 80 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 25 ns

正向跨导(Min) 2.5 S

上升时间 28 ns

典型关闭延迟时间 57 ns

典型接通延迟时间 22 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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IXTP4N65X2

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型号:IXTP4N65X2

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:226 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥34.266977
50+: ¥27.533204
100+: ¥22.653587
500+: ¥19.168823
1000+: ¥16.264478
2000+: ¥15.451291
5000+: ¥14.870374

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