货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.266977 | ¥34.27 |
50 | ¥27.533204 | ¥1376.66 |
100 | ¥22.653587 | ¥2265.36 |
500 | ¥19.168823 | ¥9584.41 |
1000 | ¥16.264478 | ¥16264.48 |
2000 | ¥15.451291 | ¥30902.58 |
5000 | ¥14.870374 | ¥74351.87 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 850 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 80 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP4N65X2
型号:IXTP4N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.266977 |
50+: | ¥27.533204 |
100+: | ¥22.653587 |
500+: | ¥19.168823 |
1000+: | ¥16.264478 |
2000+: | ¥15.451291 |
5000+: | ¥14.870374 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.27