BSZ010NE2LS5ATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- TRENCH <= 40V
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.21374 | ￥12.21 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 44.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
正向跨导（Min） 90 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.3 ns
典型接通延迟时间 12.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ010NE2LS5 SP002103858
单位重量 38.760 mg
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注
BSZ010NE2LS5ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSZ010NE2LS5ATMA1
数据手册PDF。
BSZ010NE2LS5ATMA1
型号：BSZ010NE2LS5ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.21374 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.21