
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.508769 | ¥17.51 |
| 10 | ¥15.622165 | ¥156.22 |
| 100 | ¥12.184203 | ¥1218.42 |
| 500 | ¥10.065235 | ¥5032.62 |
| 1000 | ¥7.946268 | ¥7946.27 |
| 2000 | ¥7.41666 | ¥14833.32 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 5.1 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 3.7 nC
耗散功率 11.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.7 ns
正向跨导(Min) 15 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.7 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRL100HS121 SP001592836
单位重量 97.700 mg
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0IRL100HS121
型号:IRL100HS121
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.508769 |
| 10+: | ¥15.622165 |
| 100+: | ¥12.184203 |
| 500+: | ¥10.065235 |
| 1000+: | ¥7.946268 |
| 2000+: | ¥7.41666 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.51