货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.820295 | ¥5460.89 |
6000 | ¥1.69476 | ¥10168.56 |
15000 | ¥1.631956 | ¥24479.34 |
30000 | ¥1.569225 | ¥47076.75 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 2.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1 mm
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1499DH-T1-BE3 SI1499DH-E3
单位重量 7.500 mg
购物车
0SI1499DH-T1-E3
型号:SI1499DH-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.820295 |
6000+: | ¥1.69476 |
15000+: | ¥1.631956 |
30000+: | ¥1.569225 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00