货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.623558 | ¥15.62 |
100 | ¥10.211461 | ¥1021.15 |
1000 | ¥7.564104 | ¥7564.10 |
1500 | ¥6.356382 | ¥9534.57 |
3000 | ¥5.527261 | ¥16581.78 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 3.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SQJA62EP-T1_GE3
型号:SQJA62EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.623558 |
100+: | ¥10.211461 |
1000+: | ¥7.564104 |
1500+: | ¥6.356382 |
3000+: | ¥5.527261 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.62