
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.413994 | ¥8.41 |
| 10 | ¥5.170782 | ¥51.71 |
| 100 | ¥3.299816 | ¥329.98 |
| 500 | ¥2.486566 | ¥1243.28 |
| 1000 | ¥2.224203 | ¥2224.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.3 ns
上升时间 3.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.6 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMN2230UQ-7
型号:DMN2230UQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.413994 |
| 10+: | ¥5.170782 |
| 100+: | ¥3.299816 |
| 500+: | ¥2.486566 |
| 1000+: | ¥2.224203 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.41