货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥39.786396 | ¥39.79 |
10 | ¥35.73362 | ¥357.34 |
25 | ¥33.776426 | ¥844.41 |
100 | ¥27.022624 | ¥2702.26 |
250 | ¥25.521614 | ¥6380.40 |
500 | ¥24.02011 | ¥12010.06 |
1000 | ¥20.567219 | ¥20567.22 |
2500 | ¥20.266968 | ¥50667.42 |
5000 | ¥18.46546 | ¥92327.30 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB180N60E-GE3
型号:SIHB180N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.786396 |
10+: | ¥35.73362 |
25+: | ¥33.776426 |
100+: | ¥27.022624 |
250+: | ¥25.521614 |
500+: | ¥24.02011 |
1000+: | ¥20.567219 |
2500+: | ¥20.266968 |
5000+: | ¥18.46546 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.79