SIHB180N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB180N60E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH D2PAK TO-263
- 渠道：
- digikey
库存 ：1020
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥45.618105 | ￥45.62 |
| 10 | ￥40.971292 | ￥409.71 |
| 25 | ￥38.727222 | ￥968.18 |
| 100 | ￥30.983478 | ￥3098.35 |
| 250 | ￥29.262457 | ￥7315.61 |
| 500 | ￥27.540869 | ￥13770.43 |
| 1000 | ￥23.581869 | ￥23581.87 |
| 2500 | ￥23.237608 | ￥58094.02 |
| 5000 | ￥21.172043 | ￥105860.21 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB180N60E-GE3 同类别型号
注
SIHB180N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHB180N60E-GE3
数据手册PDF。
SIHB180N60E-GE3
型号：SIHB180N60E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1020 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥45.618105 |
| 10+： | ￥40.971292 |
| 25+： | ￥38.727222 |
| 100+： | ￥30.983478 |
| 250+： | ￥29.262457 |
| 500+： | ￥27.540869 |
| 1000+： | ￥23.581869 |
| 2500+： | ￥23.237608 |
| 5000+： | ￥21.172043 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥45.62