IPAN65R650CEXKSA1
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- 制造商编号：
- IPAN65R650CEXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10.1 A
漏源电阻 1.4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 86 W
下降时间 11 ns
上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAN65R650CE SP001508828
单位重量 2 g
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注
IPAN65R650CEXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPAN65R650CEXKSA1
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。
IPAN65R650CEXKSA1
型号：IPAN65R650CEXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00