APT66M60B2
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- 制造商编号：
- APT66M60B2
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥114.124787 | ￥3423.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT66M60B2
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
330nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13190pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1135W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
T-MAX™ [B2]
封装/外壳
TO-247-3 Variant
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注
APT66M60B2品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
APT66M60B2
型号：APT66M60B2
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥114.124787 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00