货期:国内(1~3工作日)
起订量:75
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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75 | ¥11.154766 | ¥836.61 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0TK7Q60W,S1VQ
型号:TK7Q60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
75+: | ¥11.154766 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00