货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥7.050336 | ¥21151.01 |
6000 | ¥6.409396 | ¥38456.38 |
15000 | ¥6.113579 | ¥91703.68 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 63 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SQJA02EP-T1_GE3
型号:SQJA02EP-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥7.050336 |
6000+: | ¥6.409396 |
15000+: | ¥6.113579 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00