
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.692268 | ¥2076.80 |
| 6000 | ¥0.650315 | ¥3901.89 |
| 15000 | ¥0.608361 | ¥9125.42 |
| 30000 | ¥0.558005 | ¥16740.15 |
| 75000 | ¥0.54893 | ¥41169.75 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3456DDV-T1-GE3
型号:SI3456DDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.692268 |
| 6000+: | ¥0.650315 |
| 15000+: | ¥0.608361 |
| 30000+: | ¥0.558005 |
| 75000+: | ¥0.54893 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00