DMTH69M8LFVWQ-13
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- 制造商编号：
- DMTH69M8LFVWQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.98441 | ￥11953.23 |
| 6000 | ￥3.772987 | ￥22637.92 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 45.4 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.7 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMTH69M8LFVWQ-13 同类别型号
注
DMTH69M8LFVWQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMTH69M8LFVWQ-13、查询DMTH69M8LFVWQ-13代理商；
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替代型号
、DMTH69M8LFVWQ-13
数据手册PDF。
DMTH69M8LFVWQ-13
型号：DMTH69M8LFVWQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.98441 |
| 6000+： | ￥3.772987 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00