
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥24.661675 | ¥24.66 |
| 10 | ¥22.142472 | ¥221.42 |
| 100 | ¥17.794857 | ¥1779.49 |
| 500 | ¥14.619866 | ¥7309.93 |
| 1000 | ¥12.113656 | ¥12113.66 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 10.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.3 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 33 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS010N04CLTWG
型号:NVMYS010N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥24.661675 |
| 10+: | ¥22.142472 |
| 100+: | ¥17.794857 |
| 500+: | ¥14.619866 |
| 1000+: | ¥12.113656 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.66