
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.379439 | ¥36.38 |
| 30 | ¥29.060332 | ¥871.81 |
| 120 | ¥26.000685 | ¥3120.08 |
| 510 | ¥22.941923 | ¥11700.38 |
| 1020 | ¥20.647661 | ¥21060.61 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 104 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH130N10T
型号:IXTH130N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.379439 |
| 30+: | ¥29.060332 |
| 120+: | ¥26.000685 |
| 510+: | ¥22.941923 |
| 1020+: | ¥20.647661 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.38