货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.225129 | ¥44.23 |
10 | ¥39.940388 | ¥399.40 |
100 | ¥33.066894 | ¥3306.69 |
500 | ¥28.793865 | ¥14396.93 |
1000 | ¥25.07861 | ¥25078.61 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 104 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 47 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXTH130N10T
型号:IXTH130N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.225129 |
10+: | ¥39.940388 |
100+: | ¥33.066894 |
500+: | ¥28.793865 |
1000+: | ¥25.07861 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.23