TK12P60W,RVQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK12P60W,RVQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 340 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 100 W
配置 Single
下降时间 5.5 ns
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 45 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
TK12P60W,RVQ 同类别型号
注
TK12P60W,RVQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK12P60W,RVQ
数据手册PDF
。
TK12P60W,RVQ
型号：TK12P60W,RVQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00