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SI3456DDV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI3456DDV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
渠道:
digikey

库存 :147470

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.090164 5.09
10 4.166831 41.67
100 2.83747 283.75
500 2.127926 1063.96
1000 1.595945 1595.94

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 6.3 A

漏源电阻 40 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 2.8 nC

耗散功率 2.7 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 11 ns

上升时间 9 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 11 ns

典型接通延迟时间 4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-GE3

单位重量 20 mg

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SI3456DDV-T1-GE3

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型号:SI3456DDV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:147470 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.090164
10+: ¥4.166831
100+: ¥2.83747
500+: ¥2.127926
1000+: ¥1.595945

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