SI3456DDV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3456DDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：147470
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.836434 | ￥5.84 |
| 10 | ￥4.777732 | ￥47.78 |
| 100 | ￥3.253472 | ￥325.35 |
| 500 | ￥2.439901 | ￥1219.95 |
| 1000 | ￥1.829926 | ￥1829.93 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-GE3
单位重量 20 mg
SI3456DDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3456DDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI3456DDV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3456DDV-T1-GE3
型号：SI3456DDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：147470 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.836434 |
| 10+： | ￥4.777732 |
| 100+： | ￥3.253472 |
| 500+： | ￥2.439901 |
| 1000+： | ￥1.829926 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.84