货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.090164 | ¥5.09 |
10 | ¥4.166831 | ¥41.67 |
100 | ¥2.83747 | ¥283.75 |
500 | ¥2.127926 | ¥1063.96 |
1000 | ¥1.595945 | ¥1595.94 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-GE3
单位重量 20 mg
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0SI3456DDV-T1-GE3
型号:SI3456DDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.090164 |
10+: | ¥4.166831 |
100+: | ¥2.83747 |
500+: | ¥2.127926 |
1000+: | ¥1.595945 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.09