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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.467674 | ¥2.47 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.5 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 0.9 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 11 mg
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0SSM3K318R,LF
型号:SSM3K318R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.467674 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.47