SIHP186N60EF-GE3
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- 制造商编号：
- SIHP186N60EF-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH EF PWR TO-220AB
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.392679 | ￥41.39 |
| 10 | ￥37.228699 | ￥372.29 |
| 25 | ￥35.194898 | ￥879.87 |
| 100 | ￥28.156907 | ￥2815.69 |
| 250 | ￥26.592634 | ￥6648.16 |
| 500 | ￥25.028362 | ￥12514.18 |
| 1000 | ￥21.430535 | ￥21430.53 |
| 2500 | ￥21.11768 | ￥52794.20 |
| 5000 | ￥19.240553 | ￥96202.76 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 225 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 223 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 44 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 80 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHP186N60EF-GE3 同类别型号
注
SIHP186N60EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHP186N60EF-GE3
数据手册PDF。
SIHP186N60EF-GE3
型号：SIHP186N60EF-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.392679 |
| 10+： | ￥37.228699 |
| 25+： | ￥35.194898 |
| 100+： | ￥28.156907 |
| 250+： | ￥26.592634 |
| 500+： | ￥25.028362 |
| 1000+： | ￥21.430535 |
| 2500+： | ￥21.11768 |
| 5000+： | ￥19.240553 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥41.39