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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 55 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.8 ns
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.8 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
高度 2.29 mm
长度 6.58 mm
宽度 6.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMNH10H028SK3-13
型号:DMNH10H028SK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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