货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.516661 | ¥10.52 |
10 | ¥9.441882 | ¥94.42 |
100 | ¥7.365131 | ¥736.51 |
500 | ¥6.084408 | ¥3042.20 |
1000 | ¥4.803456 | ¥4803.46 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 19.5 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
购物车
0SISS94DN-T1-GE3
型号:SISS94DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.516661 |
10+: | ¥9.441882 |
100+: | ¥7.365131 |
500+: | ¥6.084408 |
1000+: | ¥4.803456 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.52