货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.351258 | ¥18.35 |
10 | ¥16.509466 | ¥165.09 |
100 | ¥13.272077 | ¥1327.21 |
500 | ¥10.904531 | ¥5452.27 |
1000 | ¥9.035186 | ¥9035.19 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP360N65S3R0
型号:FCP360N65S3R0
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.351258 |
10+: | ¥16.509466 |
100+: | ¥13.272077 |
500+: | ¥10.904531 |
1000+: | ¥9.035186 |
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单价:¥0.00总价:¥18.35