货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥4.645232 | ¥13935.70 |
6000 | ¥4.424054 | ¥26544.32 |
9000 | ¥4.219823 | ¥37978.41 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NVMYS014N06CLTWG
型号:NVMYS014N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥4.645232 |
6000+: | ¥4.424054 |
9000+: | ¥4.219823 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00