货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.134356 | ¥12.13 |
10 | ¥9.935004 | ¥99.35 |
100 | ¥7.731859 | ¥773.19 |
500 | ¥6.553562 | ¥3276.78 |
1000 | ¥5.338612 | ¥5338.61 |
2000 | ¥5.025773 | ¥10051.55 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 41 S
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0904NSI SP000854390
单位重量 38.760 mg
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0BSZ0904NSIATMA1
型号:BSZ0904NSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.134356 |
10+: | ¥9.935004 |
100+: | ¥7.731859 |
500+: | ¥6.553562 |
1000+: | ¥5.338612 |
2000+: | ¥5.025773 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.13