货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥2.729844 | ¥5459.69 |
6000 | ¥2.593356 | ¥15560.14 |
10000 | ¥2.495854 | ¥24958.54 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 86 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.25 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 79 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.9 ns
正向跨导(Min) 51 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR3709ZTRPBF SP001573340
单位重量 330 mg
购物车
0IRFR3709ZTRPBF
型号:IRFR3709ZTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥2.729844 |
6000+: | ¥2.593356 |
10000+: | ¥2.495854 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00