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IPT60R080G7XTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPT60R080G7XTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
渠道:
digikey

库存 :5459

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 84.904765 84.90
10 72.798667 727.99
100 60.667634 6066.76
500 53.530148 26765.07
1000 48.177034 48177.03

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 CoolMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 29 A

漏源电阻 80 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 42 nC

耗散功率 167 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.5 ns

上升时间 5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 61 ns

典型接通延迟时间 19 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPT60R080G7 SP001615904

单位重量 771.020 mg

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IPT60R080G7XTMA1

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型号:IPT60R080G7XTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:5459 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥84.904765
10+: ¥72.798667
100+: ¥60.667634
500+: ¥53.530148
1000+: ¥48.177034

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