TK6A65D(STA4,Q,M)
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- 制造商编号：
- TK6A65D(STA4,Q,M)
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
- 渠道：
- digikey
库存 ：50
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.28474 | ￥6.28 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.11 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
TK6A65D(STA4,Q,M) 同类别型号
注
TK6A65D(STA4,Q,M)品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK6A65D(STA4,Q,M)
数据手册PDF。
TK6A65D(STA4,Q,M)
型号：TK6A65D(STA4,Q,M)
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：50 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.28474 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.28