货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.346278 | ¥28.35 |
10 | ¥25.434278 | ¥254.34 |
100 | ¥20.837679 | ¥2083.77 |
500 | ¥17.73844 | ¥8869.22 |
1000 | ¥14.960153 | ¥14960.15 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCH165N60E
型号:FCH165N60E
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.346278 |
10+: | ¥25.434278 |
100+: | ¥20.837679 |
500+: | ¥17.73844 |
1000+: | ¥14.960153 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.35