货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.824922 | ¥13.82 |
10 | ¥13.450496 | ¥134.50 |
30 | ¥4.608307 | ¥138.25 |
100 | ¥4.521901 | ¥452.19 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.2 A
漏源电阻 64 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7465DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7465DP-T1-GE3
型号:SI7465DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.824922 |
10+: | ¥13.450496 |
30+: | ¥4.608307 |
100+: | ¥4.521901 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.82