货期:国内(1~3工作日)
起订量:135
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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135 | ¥15.503335 | ¥2092.95 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 240 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 80 ns
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 50 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQA10N80C_F109
单位重量 4.600 g
购物车
0FQA10N80C-F109
型号:FQA10N80C-F109
品牌:ON
供货:锐单
单价:
135+: | ¥15.503335 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00