货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.561174 | ¥11.56 |
10 | ¥9.447842 | ¥94.48 |
100 | ¥7.35067 | ¥735.07 |
500 | ¥6.230852 | ¥3115.43 |
1000 | ¥5.075729 | ¥5075.73 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 49 A
漏源电阻 8.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NVMYS8D0N04CTWG
型号:NVMYS8D0N04CTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.561174 |
10+: | ¥9.447842 |
100+: | ¥7.35067 |
500+: | ¥6.230852 |
1000+: | ¥5.075729 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.56