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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HyperFET
栅极电压 - 20 V, + 20 V
配置 Single
下降时间 10 ns
漏极电流 39 A
通道数量 1 Channel
耗散功率 400 W
漏源电阻 120 mOhms
上升时间 22 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 33 ns
漏源击穿电压 500 V
高度 9.65 mm
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
产品种类 分立半导体模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
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0IXFE44N50Q
型号:IXFE44N50Q
品牌:IXYS
供货:锐单
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货期:1-2天
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