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IPB50R299CPATMA1

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
IPB50R299CPATMA1
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
渠道:
digikey

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数量 价格 总计
332 11.120418 3691.98

规格参数

属性
参数值

制造商型号

IPB50R299CPATMA1

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

CoolMOS™

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

550V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

299mOhm @ 6.6A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 440µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

31nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1.19pF @ 100V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

104W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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型号:IPB50R299CPATMA1

品牌:ROCHESTER

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