货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥133.863059 | ¥133.86 |
50 | ¥80.792093 | ¥4039.60 |
100 | ¥74.489056 | ¥7448.91 |
500 | ¥66.344369 | ¥33172.18 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 16 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 HiPerFET Power MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP3N120
型号:IXFP3N120
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥133.863059 |
50+: | ¥80.792093 |
100+: | ¥74.489056 |
500+: | ¥66.344369 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥133.86