货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥23.621136 | ¥23621.14 |
2000 | ¥22.440109 | ¥44880.22 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 124 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 88 ns
典型接通延迟时间 33 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R090CFD7 SP002621132
单位重量 4 g
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0IPB60R090CFD7ATMA1
型号:IPB60R090CFD7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥23.621136 |
2000+: | ¥22.440109 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00