
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.509565 | ¥22.51 |
| 10 | ¥20.211835 | ¥202.12 |
| 100 | ¥16.557685 | ¥1655.77 |
| 500 | ¥14.09543 | ¥7047.72 |
| 1000 | ¥12.736905 | ¥12736.91 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 1.75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 212 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 28 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SUM50010E-GE3
型号:SUM50010E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.509565 |
| 10+: | ¥20.211835 |
| 100+: | ¥16.557685 |
| 500+: | ¥14.09543 |
| 1000+: | ¥12.736905 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥22.51