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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.948302 | ¥9870.75 |
5000 | ¥3.760263 | ¥18801.32 |
12500 | ¥3.586729 | ¥44834.11 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 9.6 nC
耗散功率 2.11 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.4 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.7 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0ZXMN10A25KTC
型号:ZXMN10A25KTC
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.948302 |
5000+: | ¥3.760263 |
12500+: | ¥3.586729 |
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