
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.364809 | ¥48.36 |
| 10 | ¥43.710432 | ¥437.10 |
| 100 | ¥36.190053 | ¥3619.01 |
| 500 | ¥31.51361 | ¥15756.81 |
| 1000 | ¥27.724604 | ¥27724.60 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 185 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 42 S, 25 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH42N60P3
型号:IXFH42N60P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.364809 |
| 10+: | ¥43.710432 |
| 100+: | ¥36.190053 |
| 500+: | ¥31.51361 |
| 1000+: | ¥27.724604 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥48.36