货期:(7~10天)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥43.289329 | ¥129867.99 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 53 nC
耗散功率 174 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 26 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
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0SIHH100N60E-T1-GE3
型号:SIHH100N60E-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥43.289329 |
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