货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.187148 | ¥3561.44 |
6000 | ¥1.110545 | ¥6663.27 |
15000 | ¥1.03401 | ¥15510.15 |
30000 | ¥0.980387 | ¥29411.61 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0FDN359BN
型号:FDN359BN
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.187148 |
6000+: | ¥1.110545 |
15000+: | ¥1.03401 |
30000+: | ¥0.980387 |
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