FDN359BN
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDN359BN
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.970679 | ￥2912.04 |
| 6000 | ￥0.908044 | ￥5448.26 |
| 15000 | ￥0.845465 | ￥12681.98 |
| 30000 | ￥0.80162 | ￥24048.60 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
FDN359BN 同类别型号
注
FDN359BN品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDN359BN
数据手册PDF。
FDN359BN
型号：FDN359BN
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.970679 |
| 6000+： | ￥0.908044 |
| 15000+： | ￥0.845465 |
| 30000+： | ￥0.80162 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00